p沟道场效应管，也叫p型MOS管，是一种基于金属-氧化物半导体场效应器件的晶体管。和n型MOS管相似，p沟道场效应管也是通过控制场效应器件上栅极的电压来控制电流的大小。
在p沟道场效应管中，p型基片上面是由一层厚氧化层和栅极组成的。栅极上的电压可以在氧化层形成的寄生电容对地建立电场。这个电场可以带动p型沟道上的载流子运动，从而控制p沟道的导电性能。
与n型MOS管不同的是，p沟道场效应管中，源和漏极之间是由n型材料构成的。在p型沟道引入少量杂质后，能隙会形成一个由少量导电杂质构成的带电屏障，从而使得电流流不过这个屏障。这时我们可以通过栅极外加一定电压来调整当地电子层的能量，使得电流就可以流过去了。这就实现了p沟道场效应管的调制作用。